TSM061NA03CV RGG
/MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
TSM061NA03CV RGG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PDFN33-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:66 A
Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:19.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:44.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
产品:Rectifiers
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值:51 S
下降时间:7.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5.8 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:34.4 ns
典型接通延迟时间:11.6 ns
TSM061NA03CV RGG
TSM061NA03CV RGG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM061NA03CV RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm | 1:¥10.4525 10:¥9.2999 100:¥7.3224 500:¥5.6839 5,000:¥3.8533 10,000:查看
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