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TSM061NA03CV RGG /MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
TSM061NA03CV RGG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PDFN33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:66 A

Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:19.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:44.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:Rectifiers

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:51 S

下降时间:7.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:34.4 ns

典型接通延迟时间:11.6 ns

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TSM061NA03CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm1:¥10.4525
10:¥9.2999
100:¥7.3224
500:¥5.6839
5,000:¥3.8533
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